05.11.2009
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
    
  Новости  
|
  Об институте  
|
  Научные подразделения  
|
  Разработки  
|
  Патенты  
|
  Противодействие коррупции  
  Аттестация  
|
  Конференции  
|
  Аспирантура  
|
  Молодые ученые  
|
  Диссертационный совет  
|
  Профсоюз  
|
  Вакансии  
 05.11.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы  
Экология  
Электротехника и обработка материалов  
Медицина  
Статистика публикаций  


05.11.2009

Power devices in Polish National Silicon Carbide Program



A. Kubiaka, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author, M. Sochackib, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author, Z. Lisika, J. Szmidtb, A. Konczakowskac and R. Barlikd






aTechnical University of Lodz, Department of Semiconductor and Optoelectronics Devices, Lodz, Poland


bWarsaw University of Technology, Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw, Poland


cGdansk University of Technology, Department of Optoelectronics and Electronic Systems, Gdansk, Poland


dWarsaw University of Technology, Institute of Control and Industrial Electronics, Warsaw, Poland






Received 7 May 2009; 


revised 20 July 2009; 


accepted 21 July 2009. 


Available online 8 August 2009.






Abstract


The paper is devoted to the Polish Government Program “New Technologies Based on Silicon Carbide for High Temperature, High Power and High Frequency Applications”. The program consists of three general tasks, aimed at: SiC bulk and substrate material fabrication, SiC device manufacturing and SiC device applications, respectively. In the contribution the main assumptions and goals of the program are given, and the executed and evaluated part of the research is presented in the field of the design and manufacturing of SiC power semiconductor devices.





Keywords: Silicon carbide; Schottky diode; PiN diode; MOSFET; JFET





Article Outline



1. Introduction
2. Scope of the program
3. Investigations aimed at device development

3.1. Selective doping of silicon carbide
3.2. Thermal diffusion of dopants in SiC
3.3. Gate dielectrics for silicon carbide MIS structures
3.4. Reactive ion etching (RIE) of silicon carbide surface
3.5. Schottky diodes
3.6. Field-effect transistors (FETs)

4. Investigations aimed at application of SiC devices
5. Summary
Acknowledgements
References














































Corresponding Author Contact InformationCorresponding authors.










Materials Science and Engineering: B
Volume 165, Issues 1-2, 25 November 2009, Pages 18-22
9th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я © 2004-2024 ИХТТ УрО РАН
беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок